米国SINMAT社 - パワーデバイス基板用スラリー　製品一覧

SiC(Silicon Carbide)スラリー製品

◆SCT, SC-SX シリーズ ： 高RR/高Finish SiC スラリー

多くの種類、製造元の多結晶、単結晶、また破砕性の異なる単結晶ダイヤモンド砥粒の中からお客様のアプリケーションに合わせてご選択いただけます。

◆SC-MC シリーズ ： Pre CMP メカニカルナノダイヤモンドスラリー

ナノダイヤモンド粒子をベースにし高い除去率 (＞10 micron/h) を優れた表面品質と少ない加工変質層にて実現しています。

◆SC-SXシリーズ ： その他

Ｃ面用の特殊なスラリーや光学用などのアプリケーション向けの多結晶SiC基板用スラリーも用意しています。

窒化物 (GaN, AlN, AlGaN, AlInGaN, その他) スラリー製品

◆GN-MC-X シリーズ ： Pre CMP メカニカルナノダイヤモンドスラリー

ラップ後の超高除去率 (4~10micron/h) を優れた表面品質と少ない加工変質層にて実現しています。

◆GN-HF-X シリーズ ： 高表面品質スラリー

表面変質層の完全除去とオートマティックに結晶段差間を広く保つ最終仕上げ用にデザインされたスラリーです。

◆GN-NR-X シリーズ ： Ｎ面シリーズ

バルク窒化ガリウム基板のＮ面に対し高除去率 (4~10micron/h) と超スムースな表面品質を達成すべくデザインされてます。

サファイヤスラリー製品

◆SL7000, 4000 シリーズスラリー

C面サファイヤウェーハに対し非常に高い除去率を実現するCMPスラリーです。ポリッシングパッドとの組み合わせによりテイラーメードに性能を発揮します。

◆SL1200 シリーズ ： A面CMPシリーズ

表面変質層の完全除去とオートマティックに結晶段差間を広く保つ最終仕上げ用にデザインされたスラリーです。

◆SAP-ND シリーズ ： Pre CMP メカニカルナノダイヤモンドスラリー

ナノダイヤモンドにて超高除去率 (20~40micron/h)を非常に少ない表面変質層にて実現します。